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低压低功耗模拟集成电路技术研究
  • 项目名称:低压低功耗模拟集成电路技术研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60072004
  • 申请代码:F010501
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2001-01-01-2003-12-01
  • 项目负责人:杨谟华
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:电子科技大学
  • 批准年度:2000
中文摘要:

该研究针对亚/深亚微米IC发展的瓶颈即电源电压与功耗限制,拟从发展LV/LP极限理论入手,开发新型MOS器件结构并建模,设计新一代基本电路组态,发展有效降低VT与工作电压墓ひ蘸湍D庥呕侄危迪值脱埂W级CMOS模拟集成技术。它符合绿色能源工程需求,有诩跚峁亩约啥仍际谙低臣珊屯贫夜执鶬C工艺水平与集成技术的纵深发埂?

结论摘要:

英文主题词Low voltage low power;CMOS;analog integrated circuits


成果综合统计
成果类型
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