中文摘要：

第三代半导体材料GaN以其优异的性能在电子和光电子器件领域有着广泛的应用。其宽禁带、高温工作、高强度的特点，决定了GaN基器件在航空航天、深空探测等极端环境中有着不可替代的优势。GaN/AlGaN异质结界面在材料压电极化的作用下可形成高浓度的二维电子气（2DEG）。因2DEG浓度与压电极化效应密切相关，因而采用微悬臂梁结构将宏观作用力引入HEMT的沟道层，可以对2DEG的浓度进行调制，并以此为基础制作力-电耦合的传感器件。对GaN基HEMT-Microcantilever结构的力电耦合特性和相关工艺技术进行研究对日趋重要的宽禁带半导体传感器的技术发展有着根本重要的意义。本课题将重点关注GaN基HEMT-Cantilever结构的力电耦合机理以及制造过程对力电耦合特性的影响以及相关的工艺控制问题。本项目是一项典型的机理与实验相结合的研究。其成果将对GaN基传感器件的研究和应用产生推动作