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选区外延槽栅结构GaN基MOSFET栅区缺陷控制机理研究
  • 项目名称：选区外延槽栅结构GaN基MOSFET栅区缺陷控制机理研究
  • 项目类别：应急管理项目
  • 批准号：51641709
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘扬
  • 依托单位：中山大学
  • 批准年度：2016
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