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氮化物半导体功率电子材料中深能级缺陷电学行为研究
  • 项目名称：氮化物半导体功率电子材料中深能级缺陷电学行为研究
  • 项目类别：联合基金项目
  • 批准号：U1601210
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘扬
  • 依托单位：中山大学
  • 批准年度：2016
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
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期刊论文
GaN功率开关器件的产业发展动态
刘扬的项目
常关型宽禁带氮化镓MOS场效应晶体管的研究
期刊论文 31 专利 7
选区外延槽栅结构GaN基MOSFET栅区缺陷控制机理研究
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　第三代半导体GaN电力电子材料与器件研究团队
　广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心建设
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