中文摘要：

本项目采用MOCVD外延生长技术在氮化镓基LED外延结构上插入氮化镓基隧穿PN结来使LED工作时注入电流密度均匀分布。本项目研究具有一定电流密度注入下高动态电阻的氮化镓基隧穿PN结外延生长，研究隧穿结作为电流扩展层纵向支路使电流扩展层具有的电流分布特性，研究电流分布的变化与LED光效，可靠性以及使用寿命之间的关系。在大注入电流密度下，氮化镓基发光二极管的电流分布非常不均匀，限制了其光效的提高，也降低了其可靠性和使用寿命。理论计算表明如果额定电流密度注入时纵向动态电阻大并且外加偏压低的电流扩展层能较理想地实现发光二极管的电流均匀分布。而PN隧穿二极管具有接近无穷大的动态电阻,因为PN隧穿二极管在正向偏置下电压升高到一定值后电流会出现饱和。这一特性非常适合于用来加强发光二极管的电流扩展层的电流扩展能力，实现近乎理想的均匀注入电流分布。