中文摘要：

开创性地应用电子束光刻技术和强铁磁材料在二维电子气系统实现了纳米尺寸的周期强磁场和非均匀磁场体系，首次成功地在半导体表面制作了磁性超晶格；首次在二维电子气系统的微波谱中发现了Bubble Phase，Strip Phase和超高磁场下的两类Wigner Crystal States。国际上首创应用原子层淀积(ALD)技术在III-V化合物表面生长高介电常数氧化层。从实验上证明了ALD生长的Al2O3/GaAs界面陷阱密度可降到10的11次方量级，这是实现III-V基 MOSFET的一个技术突破。成功地制作了集成有高k栅介质的GaAs基，InGaAs基和GaN 基MOSFET等器件。在上述领域发表SCI论文32篇，其中Physical Review Letters论文6篇，Applied Physics Letters论文8篇，共被引用476次，其中他引373次。