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中文摘要：
针对无需荧光粉就能发射白光的单片集成白光LED芯片进行了理论和实验研究。理论上，研究了AlInGaN 垒材料提高黄光内量子效率的机制；提出新型掩埋光子晶体结构以提高LED光提取效率。应用多量子阱（MQW）中的光子、载流子速率方程和载流子连续方程研究了载流子分布规律；率先提出基于选择共振腔的单片集成白光LED芯片新方案，并应用平面共振腔电偶极子辐射理论研究了共振腔的选择反馈作用。 实验上，进行了提高黄绿光MQW发光波长和发光效率的实验研究，引进应变减少层获得了发光波长较大和发光效率较大的黄绿光发射；优化了AlGaN/GaN DBR的生长制作工艺；在此基础上进行了基于DBR选择共振腔的黄光LED、单片集成白光LED的结构设计、制作及性能测试。此外，还针对量子点新结构发光器件的材料生长工艺进行研究，采用自组装生长模式获得量子点分子。申请发明专利6项，其中授权2项。发表国内外权威论文28篇，其中SCI论文10篇，EI论文15篇；ISTP论文11篇。培养博士研究生3名，硕士研究生9名。
结论摘要：
英文主题词Monolithic; Light Emitting Diode; Resonant Cavity; Quantum Well; Quantum Dot
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