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CuW/CuCr界面强化机理研究
  • 项目名称:CuW/CuCr界面强化机理研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:51201132
  • 申请代码:E0102
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:杨晓红
  • 依托单位:西安理工大学
  • 批准年度:2012
中文摘要:

界面是充分发挥异质金属材料各自优越性能的纽带,CuW/CuCr界面是一类粉末冶金材料和低熔点合金形成的特殊界面。本项目基于第一性原理对钨固溶体相的成分设计及铜合金中沉淀相稳定性的理论计算,在CuW/CuCr界面引入过饱和固溶体,采用浸渗技术制备CuW/CuCr整体材料,着重研究CuW/CuCr整体材料界面浸渗强化机制。揭示CuW/CuCr整体材料界面相组成、结构的形成机理,构建结合面组织结构与结合强度之间的关系,提出调控界面结合强度的方法及途径。揭示合金浸渗对该整体材料界面断裂失效机制的影响规律。研究结果不仅为合金浸渗技术强化异质材料界面提供理论基础,而且为高性能CuW/CuCr整体电触头材料在超高压断路器中的应用奠定基础。

结论摘要:

英文主题词CuW/CuCr integral material;Interfacial strengthening mechanism;Cu/W interface;Infiltration metallurgy;Interfacial bonding strength


成果综合统计
成果类型
数量
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