本项目基于过渡金属锰氧化物三重价态及原子尺度p-n结等前期研究工作,以歧化反应为主要合成手段,结合分子束外延技术,以Ⅲ-Ⅴ﹑Ⅱ-Ⅳ与Ⅲ-Ⅳ-Ⅴ族无机半导体材料为研究对象,开展对其电子输运、成对、波色爱因斯坦凝聚的研究。元素混合价态的控制是固体化学领域重要的调控手段,直接影响着固体中电子、自旋、晶格之间的相互作用。另外,利用无机半导体电子结构丰富多变设计合成新概念激子晶体。该激子晶体是稳定的Mott-Hubbard绝缘体,其在外场下以激子为媒介生成稳定的电子对,并发生波色爱因斯坦凝聚,从而实现室温及室温以上超导。本项目的意义在于通过化学等手段对无机半导体材料进行原子层面调控,构筑稳定激子结构,对于探索在更高温度或室温下实现超导开拓出一条独辟蹊径的道路。
英文主题词inorganic semiconductor;Bose-Einstein Condensation;Molecular Beam Epitaxy;Superconductivity;