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背照式ZnO基紫外焦平面成像阵列的基础研究
  • 项目名称：背照式ZnO基紫外焦平面成像阵列的基础研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60876042
  • 申请代码：F040305
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：张景文
  • 负责人职称：副教授
  • 依托单位：西安交通大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

首次研制出一种背照明的ZnO基垂直结构的紫外探测器焦平面探测阵列，其单元像素光电灵敏度达到1616 A/W，光电响应的上升时间71.2 ns。日盲MSM结构Zn1-xMgxO紫外探测器5V偏压下明暗电流比达3000，对248nm的脉冲激光上升时间45.60μs。阵列式Zn1-xMgxO垂直结构紫外探测单元5V偏压下对248nm的紫外光的响应为1679A/W, 明暗对比达到5150，上升响应时间为23ns。为当前国际最好报道。 首次研究出一种高灵敏度光电导型ZnO四脚晶须紫外探测器。发现Zn1-xMgxO纳米线表现出良好的紫外光响应特性，所研制的Zn0.62Mg0.38O和Zn0.776Mg0.224O纳米线紫外探测器的明暗对比度分别达到了5000和20000。 本项目共申报相关发明专利11项，其中已获得授权发明专利10项，取得了相应的知识产权；发表文章17篇，其中被SCI收录6篇，EI收录6篇，全国性学术会议邀请报告2次；承办全国性学术会议一次；培养青年教师两名；毕业博士研究生2人，毕业硕士研究生13人。

中文主题词： 焦平面探测阵列；紫外探测；ZnMgO；日盲；灵敏度
结论摘要：

英文主题词FPA；UV Detectors；ZnMgO；Solar Blind； Responsivity

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 28
  • 5
  • 15
  • 0
  • 0
期刊论文
ZnO的激光分子束外延法制备及X射线研究
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底栅和顶栅结构全透明氧化锌薄膜晶体管的制备(英文)
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Pump power dependence of the electron-hole plasma luminescence in Ga-doped ZnO film
Properties study of ZnO:Ga crystal on pulsed radiation detections
The fabrication and ultraviolet detecting properties of ZnMgO-based thin film transistor by laser mo
背照式ZnO紫外焦平面成像阵列制作的刻蚀研究(英文)
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氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响
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基于显著区域和pLSA的图像检索方法
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会议论文
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A Back-Illuminated Vertical-Structure Ultraviolet Photodetector Based on an RF-Sputtered ZnO Film
用原子源辅助激光分子束外延氮掺杂p型ZnO薄膜的制备与表征
高效背照明Zn0基紫外探测器及FPA成像阵列的研制
Optoelectrical Characteristics of Conjugated Polymer and Functionalized Multi-walled Carbon Tube Com
专利
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氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法
一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的制备方法
氧化锌紫外焦平面阵列制作工艺中的化学刻蚀方法
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一种氨气掺杂制备增强型ZnO沟道薄膜晶体管的方法
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背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及其制备
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