中文摘要：

ZnO是新兴的一种宽禁带半导体材料，在375nm以下对可见光无响应。采用ZnO作薄膜晶体管的沟道层材料可以制备出新型平板显示器件，这种新型薄膜晶体管与传统硅基显示器件相比器件不需遮光，可以简化器件的制备工艺，同时，可以显著提高显示器的开口率（有效像素占总面积比例），且在器件运行稳定性等方面可以得到提高。本课题利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备，采用PECVD方法在无碱（Corning）玻璃、GaN、蓝宝石等衬底上生长二氧化硅、氮化硅以及复合二氧化硅/氮化硅的绝缘层；利用金属有机化学气相沉积设备，射频磁控溅射台，采用MOCVD、RF射频磁控溅射两种方法在硅、蓝宝石，以及二氧化硅、氮化硅、复合二氧化硅/氮化硅的绝缘层等衬底材料上生长ZnO薄膜材料，测试材料性能；利用生长出的高阻、透明氧化锌薄膜材料，研制新型ZnO基全透明薄膜晶体管，并实现器件在显示领域的初步应用。