中文摘要：

功率VDMOS器件由于具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快等优点，在航空航天领域有着广泛的应用前景。然而，空间辐射环境作用于功率VDMOS器件时造成的辐射损伤会导致器件性能退化甚至失效，尤其作为航天器中的二次电源功率开关，器件性能退化直接影响DC-DC的可靠性，严重时可能导致航天任务的失败。本项目针对空间辐射环境下由于功率VDMOS器件辐射损伤引起的卫星寿命、性能、可靠性降低等问题，开展功率VDMOS器件辐射损伤机理及模拟仿真技术的研究。通过对功率VDMOS器件进行单粒子辐照实验，获得器件辐射损伤的响应规律，提取器件辐射损伤时安全阈值的实验条件，探究器件发生SEB、SEGR时的敏感区域及相关性，结合实验结果和模拟仿真技术，揭示器件单粒子辐射损伤机理，建立单粒子辐射损伤物理模型。本项目的成功实施有助于了解功率VDMOS器件单粒子辐射损伤机理，同时为发展器件的抗辐射加固技术奠定理论基础。