中文摘要：

建立利用中国原子能科学研究院HI-13串列加速器进行航天微电子器件单粒子效应灵敏体积实验测试技术和提取该参数的方法。通过测量从低到高不同能量的重离子引起的器件单粒子翻转截面得到截面随离子在器件中的射程变化关系曲线。采用物理分析和数学方法提取器件的单粒子效应灵敏体积厚度参数。在此基础上通过理论模型与实验测量参数相结合的分析进行单粒子效应机理的研究。本研究成果不但使精确评估微电子器件空间抗辐射性能成为可能，而且为探明空间辐射引起的单粒子效应的机理提供重要信息，必将为我国的宇航和战略核武器微电子器件抗辐射加固实验和理论研究做出贡献

结论摘要：

地面模拟试验研究空间辐射对微电子器件产生的单粒子效应并对器件在空间的抗辐射性能予以评估是保证航天器正常工作的重要组成部分。微电子器件灵敏体积(Sv)的厚度d在预估空间单粒子效应中是一个关键参数。本工作在中国原子能院HI-13串列加速器上建立了用低能重离子测定微电子器件单粒子翻转(SEU)灵敏体积厚度及其上面的覆盖层厚度的实验技术和分析方法。用从低到高不同能量的重离子辐照器件测量其SEU截面，得到SEU截面随射程的变化曲线;并测量不同LET 值的重离子辐照下引起的单粒子翻转(SEU)截面，得到截面随了LET变化曲线。编制了计算机计算程序，采用傅立叶变换及拟变换方法，从这两条曲线以及相关参数提取微电子器件单粒子翻转灵敏层厚度和其上面的覆盖层厚度。本方法的建立及这些参数的确定为精确地预估微电子器件空间辐射效应提供了可能性。