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InGaAlN四元系材料生长及其短波长发光机理研究
项目名称:InGaAlN四元系材料生长及其短波长发光机理研究
项目类别:面上项目
批准号:60276010
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:于彤军
依托单位:北京大学
批准年度:2002
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
7
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期刊论文
GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响
GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
GaN基紫光LED的可靠性研究
于彤军的项目
GaN基异质结构的光学偏振问题及其控制
期刊论文 39
会议论文 6
专利 4
第一届亚太地区宽禁带半导体研讨会
AlInN基新型异质结构制备和极化、输运性质研究
期刊论文 33
专利 5
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GaN纳米异质外延生长及其在发光器件中的应用