位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN365[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60477011,60476028,60406007,60276010)
作者： 魏启元, 李倜, 王彦杰, 陈伟华, 李睿, 潘尧波, 徐科, 章蓓, 杨志坚, 胡晓东
关键词： 氮化镓, 激光二极管, 量子阱, 多元合金, 增益
中文摘要：

研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量子阱结构激光器的漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.

同期刊论文项目
InGaAlN四元系材料生长及其短波长发光机理研究
期刊论文 7
肖特基型AlGaN 太阳光盲紫外光探测器的研究
期刊论文 40 会议论文 2
氧等离子体对III-V族氮化物的光学、电学性质影响的研究
期刊论文 32
二元光学微结构GaN基发光器件研究
期刊论文 29 会议论文 9
同项目期刊论文
GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响
GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
GaN基紫光LED的可靠性研究
Microstructure evolution of ox
AlGaN-Based Solar-Blind Schott
Barrier enhancement effect of
GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化
Current transport mechanism of
Effects of the passivation of
Capacitance characteristics of
Effects of junction temperatur
退火对Mg离子注入P—GaN薄膜性能
氧化Au／Ni／p—GaN欧姆接触形成
TiAI3和Ti／TiAI3非合金化电极n
Effects of dislocation on high
Influence of the Pt barrier on
Effect of AlN interlayer on in
Observation of the transition
Tunneling induced electron tra
Mechanical properties of AlxGa
Effects of symmetry of GaN-bas
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
GaN基紫光LED的可靠性研究
采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响
307-325nm波长AlGaN基紫外光探测器
The reactive ion etching chara
Effect of Al doping in the InG
GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化
Focused ion beam etched nitrid
Influence of growth rate on st
Modified transmission line mod
Study of the structural damage
Study on structure of AlGaN on
Studies of improving light ext
Reduction of threading edge di
Cathodoluminescence study of I
Length dependence of polarizat
Optimization of the Electron B
Influence of Pt Barrier on Ti/
Strain Effect on Photoluminesc
Influence of V/III flux ratio
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
GaN基紫光LED的可靠性研究
三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构
Mg掺杂的AlxGa1-xN/GaN超晶格紫外峰的性质
铟对GaN基激光器晶体质量的影响
MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析
Influence of patterned TiO2/SiO2 dielectric multilayers for back and front mirror facets on GaN-based laser diodes
高反射率p-GaN欧姆接触电极,
GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化
Junction Temperature and Relia
氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的
InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱
GaN基白光LED的结温测量
Effects of oxidation by O-2 pl
Polarization of edge emission
Luminescence degradation of In
Influence of various annealing
Ohmic contact mechanism of Ni/
Investigation on the different
GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V
Temperature dependent diffusio
GaN基LED电流扩展的有限元模型及
Photoluminescence from InGaN/G
高亮度白光LED用外延片的新进展
孙维国,AlGaN MSM紫外探测器
Correlation of contact resista
The origins of double emission
GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
GaN基紫光LED的可靠性研究
采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
激光剥离转移衬底的薄膜GaN基LED器件特性分析
期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754