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p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O472+.4[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京,100871
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60477011,60476028,60406007,60276010)
作者： 王彦杰[1], 杨子文[1], 廖辉[1], 胡成余[1], 潘尧波[1], 杨志坚[1], 章蓓[1], 张国义[1], 胡晓东[1]
关键词： p-GaN, 传输线, 镜像力, Ni/Au电极
中文摘要：

运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754