中文摘要：

光敏器件在工业技术、国防军事和民用的现代光探测、光通讯、光信息处理、光互联和光控制等领域起着关键的核心作用。针对现有光敏器件为单独双极型器件或单独场效应型器件的局限和体硅器件漏电流较大的问题，提出一种基于SOI 薄膜、综合双极型器件和场效应器件优点的高性能光敏器件，对器件的机理、特性与工艺进行综合研究，从基本物理方程和器件内部载流子运动出发，详细分析器件工作原理、各种器件特性及其参数与结构、材料、工艺之间的关系，建立器件理论体系，并进行器件设计、工艺与实验研究。预计可得到同时具有光电流大、增益大，输入阻抗大、灵敏度高，漏电流小、寄生电容小，且结构简单、易于制造的高性能光敏器件，解决制约光敏器件发展的瓶颈问题，拓宽光敏器件应用领域，具有重要的研究意义和很好的应用前景。