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金属硅熔体的化学、物理提纯机理和廉价太阳电池多晶硅片的制备
  • 项目名称:金属硅熔体的化学、物理提纯机理和廉价太阳电池多晶硅片的制备
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50572022
  • 申请代码:E0209
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人:刘彩池
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:河北工业大学
  • 批准年度:2005
中文摘要:

降低硅太阳电池成本,始终是科技攻关的主题。随着硅太阳电池的飞速发展,目前使用复拉料、埚底料做原料制备硅片,已满足不了要求。只得采用三级多晶硅(等外品)原料。多晶硅是用西门子法,通过化学提纯三氯氢硅后,在还原炉内用氢还原淀积而得。由于工艺复杂、周期长而导致成本提高。本项目拟采用4N(99.99%,四个"九")的金属硅熔体做原料,用化学、物理方法提纯,去除高温熔硅中的重金属杂质,降低氧碳含量,使4N金属硅达到6N纯度。研究4N金属硅的提纯机理,并制备太阳电池芯片用的多晶硅片,使衬底硅片成本大大下降。该项目的研究,不但具有学术意义,而且具有重大经济效益。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 13
  • 4
  • 0
  • 0
  • 1
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