降低硅太阳电池成本,始终是科技攻关的主题。随着硅太阳电池的飞速发展,目前使用复拉料、埚底料做原料制备硅片,已满足不了要求。只得采用三级多晶硅(等外品)原料。多晶硅是用西门子法,通过化学提纯三氯氢硅后,在还原炉内用氢还原淀积而得。由于工艺复杂、周期长而导致成本提高。本项目拟采用4N(99.99%,四个"九")的金属硅熔体做原料,用化学、物理方法提纯,去除高温熔硅中的重金属杂质,降低氧碳含量,使4N金属硅达到6N纯度。研究4N金属硅的提纯机理,并制备太阳电池芯片用的多晶硅片,使衬底硅片成本大大下降。该项目的研究,不但具有学术意义,而且具有重大经济效益。