位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Comprehensive Demonstration and Physical Origin of HfO2 Gate Stacks: Band Alignment, VFB Shift and F
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：5th International Symposium on Dielectrics for Nanosystems - Materials Science, Processing, Reliabil
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
同会议论文项目
高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
期刊论文 18 会议论文 5
同项目会议论文
Investigation of band structure at metal-gate/high-k interface of metal oxide semiconductor device w
基于高k/金属栅机构的能带对准理论解析平带电压偏移的物理机制
Systematical Investigation and Physical Mechanism of HfO2 Gate Stacks Band Alignment, VFB Shift and
基于能带对准理论对金属栅/高k/SiO2/Si结构器件的平带电压偏移特性研究