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基于能带对准理论对金属栅/高k/SiO2/Si结构器件的平带电压偏移特性研究
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 时间：2011.9.28
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
作者： 王文武|
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