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基于高k/金属栅机构的能带对准理论解析平带电压偏移的物理机制
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
  • 时间：2011.11.30
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
作者： Wang Wenwu|
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