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Systematical Investigation and Physical Mechanism of HfO2 Gate Stacks Band Alignment, VFB Shift and
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：Symposia on VLSI Technology, System and Applications (VLSI-TSA)
  • 时间：2012.4.23
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
作者： Wang Wenwu|
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