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Investigation of band structure at metal-gate/high-k interface of metal oxide semiconductor device w
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：2012 12th International Workshop on Junction Technology (IWJT)
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
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高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究
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