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Effect of Alloy Scattering on Hole Mobility of sSi/sSiGe/sSOI Quantum Well pMOSFETs,
  • 所属机构名称：浙江大学
  • 会议名称：International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM).
  • 时间：2013.9.25
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：纳米MOS器件中的表面粗糙度散射机理研究
作者： Wangran Wu|Wenjie Yu|Qingtai Zhao|Jiabao Sun|Dongyuan Zhai|Yi Shi|Yi Zhao|
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