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Strain-induced I-V Characteristics Modulation of p-n Junctions and MOS Capacitors in Si CMOS Devices
  • 所属机构名称：浙江大学
  • 会议名称：IEEE International Workshop on Junction Technology, (IWJT).
  • 时间：2013.6.7
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：纳米MOS器件中的表面粗糙度散射机理研究
作者： Yi Zhao|Wangran Wu|Jiabao Sun|Yi Shi|
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