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90纳米CMOS双阱工艺下版图形式对电荷共享的影响
  • 所属机构名称：中国人民解放军国防科学技术大学
  • 会议名称：第十四届计算机工程与工艺学术年会
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：集成电路辐照效应与抗辐照技术研究
作者： 刘凡宇|刘衡竹|刘必慰|梁斌|
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期刊论文 61 会议论文 18 专利 19
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