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深亚微米NMOS器件总剂量辐照引起的寄生管泄漏电流模型
  • 所属机构名称：中国人民解放军国防科学技术大学
  • 会议名称：第十六届全国半导体集成电路和硅材料学术会议
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：集成电路辐照效应与抗辐照技术研究
作者： 刘文|黄如|王思浩|
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集成电路辐照效应与抗辐照技术研究
期刊论文 61 会议论文 18 专利 19
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