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新型槽栅MOSFETs的特性
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN386.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
  • 相关基金：国家自然科学基金（批准号;60376024）和国家高技术研究发展计划（批准号：2003AA1Z1630）资助项目
作者： 曹艳荣[1], 马晓华[1], 郝跃[1], 于磊[1]
关键词： 自对准, 槽栅器件, 短沟道效应, 热载流子效应, 拐角效应, self-aligned, groove-gate MOSFETs, short channel effects, hot carries effects, corner effect
中文摘要：

采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析，结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应，而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因．对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量，结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性．

英文摘要：

The grooveand planar-gate MOSFETs are compared and analyzed through simulation with the software SIVALCO, and the results show that the groove-gate MOSFETs can suppress short channel and hot carries effects. From the analysis of the field,we find that due to the corner effect,the performance of groove-gate MOSFETs is better than that of the planar. The groove-gate MOSFETs with 140nm channel length fabricated with a self-aligned process are tested,and the results effectively show the superiority of the groove-gate MOSFETs over the planar.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754