位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Analytical analysis of surface
  • 时间：0
  • 相关项目：超深亚微米新型槽栅CMOS器件及相关技术研究
作者： Zhang Xiao-Ju, Gong Xin, et al
同期刊论文项目
超深亚微米新型槽栅CMOS器件及相关技术研究
期刊论文 31 会议论文 1
同项目期刊论文
大面积拼接光栅的远场衍射分析
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸
无人直升机鲁棒积分滤波反步法飞行控制设计
无人直升机的自适应动态面轨迹跟踪控制
Study on 0.1Micron Grooved-Gat
An improved substrate current
Investigation of the character
适用于深亚微米NMOSFET ESD效应
90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流
An optimization technique for
Effect of substrate bias on negative bias temperature instability of ultra-deep sub-micro p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Study on the drain bias effect on negative bias temperature instability degradation of an ultra-short p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究
超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性
Snapback应力引起的90nm NMOSFET’s栅氧化层损伤研究
适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型
电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性
高栅压电子注入损伤对产生电流的影响
Snapback应力对90nm nMOSFET栅氧化层完整性的影响
深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应
90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理
新型槽栅MOSFETs的特性
90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理
Investigation of the characteristics of GIDL current in 90nm CMOS technology
New aspects of HCI test for ultra-short channel n-MOSFET devices
Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process
Hot-carrier degradation for 90 nm gate length LDD- NMOSFET with ultra-thin gate oxide under low gate voltage stress
Study on the recovery of NBTI of ultra-deep sub-micro MOSFETs