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离子注入制备Si基InAs量子点
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：《功能材料》
  • 时间：0
  • 分类：TB39[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构：[1]武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072
  • 相关基金：【基金项目】国家自然科学基金资助项目（10775106和60676036）
作者： 朱振华[1], 孟宪权[1], 肖虎[1]
关键词： 量子点, 离子注入, 退火, 透射电子显微镜
中文摘要：

利用离子注入法在Si（001）片上先后注入了In＋和As＋，注入剂量为1．5×1017cm－2，注入能量分别为210和150keV，然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料，用透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）观察了材料的截面像。

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166