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闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083, 中国科技大学物理系,合肥,230026 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,60521001),国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目
作者： 毕京锋, 赵建华, 邓加军, 郑玉宏, 王玮竹, 李树深
关键词： 半金属, 室温铁磁性, 分子束外延
中文摘要：

利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754