欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层
期刊名称:半导体学报,28, supplement, 204 (2007)
时间:0
相关项目:磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究
作者:
毕京锋, 赵建华, 邓加军, 郑玉宏
同期刊论文项目
磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究
期刊论文 48
会议论文 11
著作 2
同项目期刊论文
A convenient way of determinin
Ba0.9Sr0.1TiO3-based Optical M
硒化锌量子点的热解组装及光学性质研究
InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性
Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束
室温下(Ga,Mn)As中载流子自旋弛
GaMnAs合金中等离子体激元一LO声
GaMnAs的Raman光谱研究
Effect of annealing on structu
Structural and Electric Proper
Ba0.9Sr0.1TiO3-based Bragg ref
Weak Localization and Magnetoi
Experimental Verification on t
High-lying Interband Transitio
Temperature-dependent optical
Growth and Magnetic Properties
Peculiar Ferroelectric and Die
Growth parameter dependence of
Pseudospin in Si (-doped InAlA
Weak Anti-localization and Bea
低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As
Growth of thicker zincblende C
Microstructure Characterizatio
Enhanced Visibility of Graphen
Influences of As flux on cryst
Photoinduced spin alignment of
介孔TiO2-ZnO复合薄膜的制备与表征
退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究
外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性
闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
稀磁半导体的研究进展
InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究
GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究
碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测