东篱科研大数据发现系统（DRDS）

位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页

GaMnAs的Raman光谱研究

期刊名称：红外与毫米波学报, 25 (3), 207(2006)
时间：0
分类：O472[理学—半导体物理;理学—物理]
作者机构：[1]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083, [2]武汉大学物理学院,湖北武汉430072
相关基金：国家自然科学基金资助项目（60476045,10334030）
相关项目：磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究

关键词： GAMNAS, 拉曼光谱, 等离激元与声子耦合模, 空穴浓度, GaMnAs , Raman spectrum, coupled plamon-LO-phonon mode , hole density

中文摘要：

报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱，发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性．随着Mn组分的增加，CPLP模的拉曼频率红移，通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度．发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加．测量了不同温度下GaMnAs合金的拉曼光谱,证实合金中空穴浓度随温度的增加而增加．

英文摘要：

Raman spectra of diluted magnetic semiconductor GaMnAs alloy were reported. The coupled plamon-LO-phonon （CPLP） mode has LO-like polarization properties. With increasing Mn concentration, the CPLP mode shifts to low frequency. The hole density in the alloy was determined from the ratio of the intensity of the CPLP mode to that of the unscreened LO mode in the depletion layer. The hole density increases with the increase of the Mn composition. The Raman spectra of GaMnAs alloy were measured at different temperature. It is confirmed that the hole density in the alloy increases with the increase of the temperature.

同期刊论文项目