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退火诱导MgZnO薄膜（220）晶向晶化性质的研究
  • ISSN号：1005-023X
  • 期刊名称：《材料导报》
  • 时间：0
  • 分类：O766.3[理学—晶体学]
  • 作者机构：[1]苏州大学物理科学与技术学院,苏州215000, [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215125
  • 相关基金：科技部重大科学研究计划973项目（001CB309506）;国家自然科学基金重点项目（10334030）
作者： 李景[1,2], 顾济华, 钱波[2], 蒋春萍[2], 马仙梅[2]
关键词： MgZnO薄膜, 禁带宽度, (220)取向, 退火温度, MgZnO film, energy band gap, （220）preferred orientation, annealing temperature
中文摘要：

采用激光脉冲沉积法（PLD）在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜。并通过选用高Mg含量的靶材，成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域（200-280nm），经计算MgZnO薄膜的带隙高达5．46eV。进一步研究这种高Mg含量的MgZnO薄膜的结构特性，对薄膜进行了热退火处理，并首次观察到依赖于退火温度变化的（220）取向衍射峰的变化。

英文摘要：

A series of MgZnO thin films have been deposited on quartz substrate by pulsed laser deposition （PIED） method. The absorption edge was tuned to deep UV region（200-280nm） using the target with high Mg content. The band gap of MgZnO films can reach 5.46eV. Thermal annealing was performed to improve the structural characteristics of MgZnO films. For the first time the unique cubic（220） orientation crystallization process with the different annealing temperature was observed.

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期刊信息
  • 《材料导报：纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编：
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  • 国际标准刊号：ISSN：1005-023X
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1078/TB
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