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Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083, 中国科技大学物理系,合肥,230026 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,90301007,60521001)及国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目
作者： 郑玉宏, 赵建华, 毕京锋, 王玮竹, 邓加军, 夏建白
关键词： 稀磁半导体, 铁磁性, 分子束外延
中文摘要：

利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754