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具有Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面和电学性能的表征（英文）
  • ISSN号：1002-185X
  • 期刊名称：《稀有金属材料与工程》
  • 时间：0
  • 分类：O611.3[理学—无机化学;理学—化学]
  • 作者机构：温州大学, 中国科学院上海微电子与信息技术研究所, University of Alabama,Alabama 35899
  • 相关基金：Supported by National Natural Science Foundation of China (50402026)
作者： 程新红, 何大伟, 宋朝瑞, 俞跃辉, 沈达身
关键词： 栅介质, HFO2, 阻挡层, AL2O3
中文摘要：

研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明,退火后,界面层中的SiOx转化为化学当量的SiO2,而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物。由电学测试提取出等效栅氧厚度为2.5nm,固定电荷密度为–4.5×1011/cm2。发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜,进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能。

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期刊信息
  • 《稀有金属材料与工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国有色金属学会 中国材料研究学会 西北有色金属研究院
  • 主编：张平祥
  • 地址：西安市51号信箱
  • 邮编：710016
  • 邮箱：RMME@c-nin.com
  • 电话：029-86231117
  • 国际标准刊号：ISSN：1002-185X
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1154/TG
  • 邮发代号:52-172
  • 获奖情况:
  • 首届国家期刊奖,中国优秀期刊一等奖,中国有色金属工业优秀期刊1等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:24715