中文摘要：

在Si衬底上制备高质量高介电常数HfSixOyNz系列介质薄膜材料；系统研究成膜条件（薄膜沉积参数及后处理条件等）与所制备薄膜的微观结构特征（薄膜的组分、缺陷、厚度等）之间的关系，重点分析薄膜形成规律，调节各种制备参数，结合计算机模拟，找出薄膜制备的最优化条件，以达到精确控制薄膜微观结构的目的；研究不同组分铪基薄膜微观结构对其电学性能的影响情况，探讨各元素的作用，尤其是氮元素对改善铪基薄膜结晶倾向的作用和机理，分析氮元素对薄膜电学性能的影响原因及机制；深入探讨新型高介电常数铪基薄膜的抗漏电等性能优良的机理，为进一步开展高介电常数介质材料在未来微电子领域中的应用奠定实验和理论基础。

结论摘要：

在Si 衬底上制备高质量高介电常数HfSixOyNz 系列介质薄膜材料；系统研究成膜条件（薄膜沉积参数及后处理条件等）与所制备薄膜的微观结构特征（薄膜的组分、缺陷、厚度等）之间的关系，重点分析薄膜形成规律，调节各种制备参数，结合计算机模拟，找出薄膜制备的最优化条件，以达到精确控制薄膜微观结构的目的；研究不同组分铪基薄膜微观结构对其电学性能的影响情况，探讨各元素的作用，尤其是氮元素对改善铪基薄膜结晶倾向的作用和机理，分析氮元素对薄膜电学性能的影响原因及机制；深入探讨新型高介电常数铪基薄膜的抗漏电等性能优良的机理，为进一步开展高介电常数介质材料在未来微电子领域中的应用奠定实验和理论基础。