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Si/Si直接键合界面热应力模型及模拟
  • ISSN号:1671-4776
  • 期刊名称:《微纳电子技术》
  • 时间:0
  • 分类:O485[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]绍兴文理学院微电子实验室,浙江绍兴312000, [2]东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096
  • 相关基金:国家863计划项目(2003AA404010);国家杰出青年科学基金资助项目(50325519)
中文摘要:

根据Suhir的双金属带的热应力分布理论,建立了Si/Si直接键合界面应力模型,推导出了由于高温引起的正应力、剪切应力和剥离应力的解析方程。并且应用模拟软件Matlab对热应力进行了模拟,直观地表现了键合界面应力的大小及其分布情况,对键合工艺有一定的指导意义。

英文摘要:

A physical model of the interfacial stresses of Si/Si direct bonding was presented based on the Suhire theory of stresses presented in bimetal strips, and the analytical equations of the normal stresses, the shearing stresses and the peeling stresses were derived according to the stress model. Then, Matlab stress simulation tool was used for the interfical stresses. The simulation results directly show the distribution of the interfacial stresses of Si/Si direct bonding. The results are valuable for bonding process.

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期刊信息
  • 《微纳电子技术》
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  • 国际标准刊号:ISSN:1671-4776
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1314/TN
  • 邮发代号:18-60
  • 获奖情况:
  • 2002-2003和2003-2004年度,均获信息产业部电子科...,2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术...,中国学术期刊执行(光盘版)检索与评价数据规范优...,2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊...
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
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