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Growth and Characterization of an a-Plane InxGa1-xN on a r-Plane Sapphire
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2012.11.11
  • 页码：117103-117105
  • 相关项目：大尺寸GaN厚膜衬底材料自剥离制备研究
作者： Zhao Gui-Juan|Li Zhi-Wei|Wei Hong-Yuan|Liu Gui-Peng|Liu Xiang-Lin|Yang Shao-Yan|Zhu Qin-Sheng|Wang Zhan-Guo|
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  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
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  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
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