位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Al／AlN／Si MIS结构的电学性质
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：《固体电子学研究与进展》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.23[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Novel Semiconductor Material Laboratory, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Foundation of China （Grant No 60136020）, the Key Innovation Program of Chinese Academy of Sciences and the National High Technology Development Program of China （Grant No 2002AA305304）.
作者： 周春红[1,2], 孔月婵[1], 席冬娟[1], 陈鹏[1], 郑有
关键词： AlN/GaN超晶格中间层, 硅衬底, 氮化镓, 沉积, 性质, GaN, Si substrate, metalorganic chemical vapour deposition, superlattice buffer
中文摘要：

E-mail： liuzhe@red.semi.ac.cn

同期刊论文项目
GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
期刊论文 11
同项目期刊论文
极化电场对AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响
GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响
Al组分对AlxGa1-xN／GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应
表面钝化前后Al0．22Ga0．78N／GaN异质结势垒层应变的高温特性
MOCVD方法制备高Al组分AlGaN
MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构
蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:2461