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Al组分对AlxGa1-xN／GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871, [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
  • 相关基金：国家重点基础研究发展规划（批准号：G20000683,G001CB3095）,国家高技术研究发展计划（批准号：2002AA305304）,国家自然科学基金（批准号;60444007,60136020,10374094）,国家杰出青年基金（批准号：60325413）和教育部博士点基金（批准号：20020284023）资助项目
作者： 唐宁[1], 沈波[1], 王茂俊[1], 杨志坚[1], 徐科[1], 张国义[1], 桂永胜[2], 朱博[2], 郭少令[2], 褚君浩[2]
关键词： AlxGa1-xN/GaN异质结构, 二维电子气, 输运性质, Alx Ga1-x N/GaN heterostructure, two-dimensional electron gas, transport property
中文摘要：

在低温和强磁场下，通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN／GaN异质结二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象．观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率．

英文摘要：

Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754