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A first-principle investigation of the oxygen defects in Si3N4-based charge trapping memorie
  • 期刊名称：Journal of Semiconductors
  • 时间：2014
  • 页码：1-6
  • 相关项目：纳米CMOS器件统一模型模拟理论及性能优化方案的研究
作者： Luo Jing|Dai Yuehua|
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期刊论文 54
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