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Optimal migration route of Cu in HfO2
  • 期刊名称：Journal of Semiconductors
  • 时间：2014
  • 页码：1-5
  • 分类：TP18[自动化与计算机技术—控制科学与工程;自动化与计算机技术—控制理论与控制工程] TN304.21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, China, [2]Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Device Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy ofSciences, Beijing 100029, China, [3]Internet Network Information Center, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei 23003 l, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （No.61376106）.
  • 相关项目：纳米CMOS器件统一模型模拟理论及性能优化方案的研究
作者： Lu Jinlong|Dai Yuehua|
关键词： 迁移路径, 氧化铪, 铜, 第一原理计算, 生长取向, 响应速度, 热力学分析, 随机存取, HfO2, RRAM, Cu migration, lattice orientation, migration speed
中文摘要：

Email： daiyuehua2013@ 163.com

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