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Effects of interaction between defects on the uniformity of doping HfO 2-based RRAM A first principl
  • 期刊名称：Journal of Semiconductors
  • 时间：2013
  • 页码：1-6
  • 相关项目：纳米CMOS器件统一模型模拟理论及性能优化方案的研究
作者： z hao Q iang|Dai Yuehua|
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纳米CMOS器件统一模型模拟理论及性能优化方案的研究
期刊论文 54
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