位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
An ultra low supply voltage ultra low power subthreshold SRAM bitcell design
  • ISSN号：1003-7985
  • 期刊名称：东南大学学报(英文版)
  • 时间：2013.5
  • 页码：268-273
  • 相关项目：高密度高可靠性亚阈值静态存储器的理论研究
作者： [18]. Bai Na, Feng Yue, Shi Longxing, You Xiaohu|
同期刊论文项目
高密度高可靠性亚阈值静态存储器的理论研究
期刊论文 23 会议论文 8
同项目期刊论文
Research of high-speed image and number' s recognition system based on FPGA
A 200 mV low leakage current subthreshold SRAM bitcell in a 130 nm CMOS process
微电子技术专业教学改革探讨
A low active and leakage power SRAM using a read and write divided and bist programmable timing cont
Review of sense amplifier for static random access memory
A programmable timing circuit with an embedded BIST for roubust timing of sense amplifiers
光学薄膜激光损伤测试平台的构建
Analysis of ADPLL Jitter Due to Power Supply Noise with Deterministic Frequency
Research of High-speed Image and Number’s Recognition System Based on FPGA
Disassembly sequence planning based on community structure algorithm and knowledge
A Numerical Study on Premixed Bluff Body Flame of Different Bluff Apex Angle
极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计
《新型纳米材料与器件》课程教学研究
转筒内颗粒混合过程的DEM仿真研究
Image encryption using the chaotic Josephus matrix
A PVT-Compensation Scheme for Subthreshold SRAM
A Leakage Current-compensation-Mode Sense Amplifier for High-Performance SRAM
期刊信息
  • 《东南大学学报：英文版》
  • 主管单位:教育部
  • 主办单位:东南大学
  • 主编：毛善锋
  • 地址：南京市四牌楼2号
  • 邮编：210096
  • 邮箱：xuebao@seu.edu.cn
  • 电话：025-83794323 83794343传
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-7985
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1325/N
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 2010年和2012年荣获第三届和第四届中国高校优秀科...
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库
  • 被引量:493