欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计
ISSN号:1001-0505
期刊名称:东南大学学报(自然科学版)
时间:2013.3.20
页码:268-273
相关项目:高密度高可靠性亚阈值静态存储器的理论研究
作者:
柏娜|冯越|尤肖虎|时龙兴|
同期刊论文项目
高密度高可靠性亚阈值静态存储器的理论研究
期刊论文 23
会议论文 8
同项目期刊论文
Research of high-speed image and number' s recognition system based on FPGA
A 200 mV low leakage current subthreshold SRAM bitcell in a 130 nm CMOS process
微电子技术专业教学改革探讨
A low active and leakage power SRAM using a read and write divided and bist programmable timing cont
Review of sense amplifier for static random access memory
A programmable timing circuit with an embedded BIST for roubust timing of sense amplifiers
光学薄膜激光损伤测试平台的构建
Analysis of ADPLL Jitter Due to Power Supply Noise with Deterministic Frequency
Research of High-speed Image and Number’s Recognition System Based on FPGA
Disassembly sequence planning based on community structure algorithm and knowledge
A Numerical Study on Premixed Bluff Body Flame of Different Bluff Apex Angle
《新型纳米材料与器件》课程教学研究
转筒内颗粒混合过程的DEM仿真研究
Image encryption using the chaotic Josephus matrix
A PVT-Compensation Scheme for Subthreshold SRAM
A Leakage Current-compensation-Mode Sense Amplifier for High-Performance SRAM
An ultra low supply voltage ultra low power subthreshold SRAM bitcell design
期刊信息
《东南大学学报:自然科学版》
中国科技核心期刊
主管单位:教育部
主办单位:东南大学
主编:毛善锋
地址:南京四牌楼2号
邮编:210096
邮箱:xuebao@seu.edu.cn
电话:025-83794323
国际标准刊号:ISSN:1001-0505
国内统一刊号:ISSN:32-1178/N
邮发代号:28-15
获奖情况:
先后荣获第三届国家期刊奖百种重点期刊奖,2006-2...,2013年荣获首届江苏省新闻出版政府奖"报刊奖"
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
被引量:23651