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Dislocations related with the pore on P-rich InP wafer
  • ISSN号：1862-6351
  • 期刊名称：Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid
  • 时间：2013.11.11
  • 页码：1373-1376
  • 相关项目：不同熔体配比条件下InP单晶生长及材料性质研究
作者： Liu,Zhiguo|Yang,Ruixia|Tian,Xiuwei|Yang,Fan|Wang,Qiang|Wang,Yang|Li,Xiaolan|
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