位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during homoepitaxial growth on nonmisoriented GaAs（111）B by MBE
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.054[电子电信—物理电子学] TP391.41[自动化与计算机技术—计算机应用技术;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构：[1]School of lnformation Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China, [2]The 13th Electronic Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 61076004） and the Natural Science Foundation of Hebei Province, China （No. E2009000050）.
作者： Yang Ruixia, Wu Yibi~, Niu Chenliang, Yang Fan
关键词： 反射高能电子衍射, 同质外延生长, 分子束外延, 表面重建, 衍射强度, 反射光束, 振荡条件, 砷化镓, GaAs（111）B； RHEED； surface reconstruction； epilayer；
中文摘要：

Corresponding author. Email： yangrx@hebut.edu.cn

同期刊论文项目
不同熔体配比条件下InP单晶生长及材料性质研究
期刊论文 19 会议论文 3
同项目期刊论文
非接触四波混频技术测试InP单晶
InP单晶的磁光和热电效应
InP晶片位错密度的测量与分析
InP单晶退火及热应力分布的研究
Influence of the cone angle and crystal shape on the formation of twins in InP crystals
Dislocations related with the pore on P-rich InP wafer
InP晶片位错密度分布测量
富磷熔体生长 InP 单晶的均匀性研究
LEC法生长富磷掺铁InP单晶晶格应变与残留应力研究
射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究
GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究
Persistent photoconductivity in neutron irradiated GaN
An 8-18 GHz broadband high power amplifier
腔长对高功率单管半导体激光器性能的影响
富磷InP单晶中气孔的形成及其结构研究
HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究
化合物半导体器件与电路的研究进展
磷化铟单晶退火及热应力分布的研究
期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754