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Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：429-435
  • 语言：英文
  • 相关项目：GaN与ZnO异质外延中的Si基协变超薄中间层研究
作者： Han, Xiuxun|Yuan, Hairong|Yang, Shaoyan|Zhu, Qinsheng|Wang, Zhanguo|Xu, Xiaoqing|Wei, Hongyuan|Wang, Jun|Zheng, Gaolin|Liu, Xianglin|Song, Huaping|Guo, Yan|
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