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Band alignment of InN/GaAs heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：57-60
  • 语言：英文
  • 相关项目：GaN与ZnO异质外延中的Si基协变超薄中间层研究
作者： Wang, Zhanguo|Guo, Yan|Liu, Xianglin|Zhang, Riqing|Zhu, Qinsheng|Song, Huaping|Yang, Shaoyan|Wei, Hongyuan|
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